Ge/Si APD Thermal Uquilibrium Solution

前頁の断面図を元に１次元デバイス構造を定義した。ヘテロ構造半導体輸送方程式の数値解析プログラム*を開発して、熱平衡状態の解を求めた結果を図２に示す。

図２．Intel Ge/Si APDの熱平衡解（バイアス、光を照射しない状態）

下記　InP/InGaAs　APD解析と同様の定式化を行い、Si/Ge系APD解析プログラムを新規に開発した。 K. Yokoyama, M. Tomizawa, H. Kanbe and T. Sudo, "A numerical analysis of a heterostructure InP/InGaAs photodiode," IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-30, pp. 1283-1288, Oct. 1983.